Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB073N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB073N15N5
IPB073N15N5ATMA1 Hakkında
IPB073N15N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 114A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7.3mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrol, switch mode güç kaynakları (SMPS), DC-DC dönüştürücüler ve diğer anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 61nC gate charge ve 4700pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 57A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok