Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB072N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB072N15N3G
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB072N15N3GE8187ATMA1, 150V drain-source voltaj ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 7.2mΩ on-resistance değeri ile enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. 300W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç elektronikleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve konverter tasarımlarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, yüksek frekanslı switching uygulamalarında tercih edilir. 93nC gate charge değeri hızlı komütasyona izin verir. Yüzey montaj tipi paketlemesi, kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5470 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok