Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB072N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB072N15N3G
IPB072N15N3GATMA1 Hakkında
IPB072N15N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 7.2mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Gate şarj değeri 93nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, SMPS (Switch Mode Power Supply) ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5470 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok