Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB070N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB070N06L
IPB070N06L G Hakkında
IPB070N06L G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajına ve 80A sürekli dren akımına sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnç (6.7mΩ @ 80A, 10V) özellikleri sayesinde güç elektronik uygulamalarında verimli çalışır. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, güç dönüştürücüler ve endüstriyel sürücü devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 214W güç yayılabilir ve gate charge değeri 126nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok