Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB06N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB06N03L
IPB06N03LB Hakkında
IPB06N03LB, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.3mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak paketindeki bu bileşen, -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunur. LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2782 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok