Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB06N03L
IPB06N03LAT Hakkında
IPB06N03LAT, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ile 50A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 175°C arasında) çalışabilir. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri sayesinde güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 22nC gate charge ile hızlı komutasyon sağlar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2653 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok