Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB06N03LA
IPB06N03LA G Hakkında
IPB06N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 5.9mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük ısıl dirençle çalışır. 22nC gate charge ve 2653pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon için uygun tasarım sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, DC-DC konverterler ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2653 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok