Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB06N03LA
IPB06N03LA Hakkında
IPB06N03LA, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında anahtar görevi üstlenir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 5.9mΩ maksimum gate-source direnci (10V, 30A'de) ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ortam koşullarında kullanımını destekler. Ürün Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2653 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok