Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB067N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB067N08N3G
IPB067N08N3GATMA1 Hakkında
IPB067N08N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6.7mΩ on-dirençi (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketi kompakt tasarımlara uyum gösterir. Anahtarlama hızı ve düşük kapasitans özellikleri ile güç dönüştürme, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı geniş ortam koşullarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3840 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 73µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok