Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB065N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB065N15N3G
IPB065N15N3GATMA1 Hakkında
IPB065N15N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 150V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 6.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W'a kadar güç yayabilir. Endüstriyel sürücüler, elektrik araç denetim devresi, anahtarlamalı güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate voltajı toleransı ve 93nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok