Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB065N10N3
IPB065N10N3GATMA1 Hakkında
IPB065N10N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-direnci (6.5mOhm @ 80A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli güç dağıtımı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında kullanılır. 150W maksimum güç tüketimi ile orta ve yüksek güç devreleri için tasarlanmıştır. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok