Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB065N06LG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB065N06LG
IPB065N06LG Hakkında
IPB065N06LG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. 6.2mΩ maksimum on-state direnç (10V gate geriliminde, 80A drenaj akımında) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 157nC ve giriş kapasitansi 5100pF olup, hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 250W güç dağıtımı yapabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok