Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB065N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB065N03L
IPB065N03LGATMA1 Hakkında
IPB065N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 6.5mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 56W güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlaması gerektiren tasarımlara uygundur. Ürün Infineon tarafından üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok