Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB060N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB060N15N5
IPB060N15N5ATMA1 Hakkında
IPB060N15N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 136A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 250W güç dağıtabilir. ±20V gate-source gerilim kapasitesi ve düşük gate charge (68nC) hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 136A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 68A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok