Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB057N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB057N06NA
IPB057N06NATMA1 Hakkında
IPB057N06NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 45A sürekli akım kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.7mΩ düşük on-resistance (Rds On) değeri ile verimli çalışma sağlar. Surface mount D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate drive voltajında optimum performans gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışan IPB057N06NATMA1, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 27nC gate charge ve düşük input kapasitansiyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta), 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 36µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok