Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB054N06N3G
IPB054N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB054N06N3GATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulur. 5.4mΩ maksimum RDS(ON) değeri düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arası) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 58µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok