Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB050N06NGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB050N06NGA
IPB050N06NGATMA1 Hakkında
IPB050N06NGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 60V drain-source gerilim ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 300W maksimum güç dağılımına sahiptir. ±20V gate gerilim toleransı ile çeşitli sürücü devreleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok