Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB04N03LAG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB04N03LAG
IPB04N03LAG Hakkında
IPB04N03LAG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (3.9mΩ @ 10V, 55A) ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan IPB04N03LAG, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilme kabiliyeti ve 107W güç tüketim kapasitesi sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3877 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok