Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB049NE7N3
IPB049NE7N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB049NE7N3GATMA1, 75V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmış bir N-channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, 4.9mΩ maksimum RDS(on) direnci ile düşük konakta kayıp sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 150W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge değeri 68nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok