Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB049N06L3
IPB049N06L3GATMA1 Hakkında
IPB049N06L3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ve 80A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajda 4.7mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 115W güç saçabilir. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8400 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok