Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB048N15N5
IPB048N15N5LFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB048N15N5LFATMA1, 150V ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.8mΩ (Rds On) ile düşük iletim kaybına ve 84nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 313W güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve yüksek akımlu anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilimi ve 4.9V eşik gerilimi ile güvenilir operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 255µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok