Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB048N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB048N15N5
IPB048N15N5ATMA1 Hakkında
IPB048N15N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajına ve 120A sürekli drain akımına dayanıklıdır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulmuş olup, güç dönüştürme, motor kontrol, aydınlatma uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 4.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W'a kadar güç dağıtabilir. Yüksek hız anahtarlama uygulamaları için uygun düşük gate charge değerine (100nC @ 10V) sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok