Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB048N06LGATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB048N06LGA
IPB048N06LGATMA1 Hakkında
IPB048N06LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.4mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı kasa ile kompakt PCB tasarımlarına uygundu. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrollerinde, DC-DC konvertörlerde ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 300W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. 10V gate drive voltajında çalışır ve 225nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 225 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok