Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB044N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB044N15N5
IPB044N15N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB044N15N5ATMA1, 150V drain-source voltaj kapasitesi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistördür. 174A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 4.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Surface mount montaj tipi ile modern elektronik tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 174A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8000 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 87A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok