Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB041N04NG
IPB041N04NGATMA1 Hakkında
IPB041N04NGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) Surface Mount paketinde sunulur. Güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında stabil çalışma sağlar. Maksimum 94W güç ısıtması kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok