Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB03N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB03N03LA
IPB03N03LA G Hakkında
IPB03N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ile 80A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (2.7mΩ @ 55A, 10V) değeri sayesinde güç uygulamalarında yüksek verimlilik sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir ve 150W'a kadar güç dağıtabilir. Motor kontrol, anahtarlama power supply'leri, enerji yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda sıklıkla tercih edilir. Gate charge değeri 57nC olup 4.5V-10V arası drive gerilimleri ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7027 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok