Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB039N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB039N10N3GE
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB039N10N3GE8187ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (3.9mΩ @ 100A, 10V) sağlayarak enerji verimliliği gerekli uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve benzer yüksek akımlı DC-DC dönüştürücü devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda kullanım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok