Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB039N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB039N04LG
IPB039N04LGATMA1 Hakkında
IPB039N04LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.9mΩ düşük on-direnç (RDS(on)) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket türü ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen; DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 78nC kapı yükü değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 45µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok