Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB038N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB038N12N3G
IPB038N12N3GATMA1 Hakkında
IPB038N12N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 3.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl kayıp sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok