Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB037N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB037N06N3
IPB037N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB037N06N3GATMA1, 60V drain-source voltajında 90A sürekli akım kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 3.7mΩ On-Resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 188W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. 4V threshold voltajı ve 98nC gate charge parametreleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok