Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB036N12N3
IPB036N12N3GATMA1 Hakkında
IPB036N12N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source geriliminde 180A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulur. 3.6mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük kayıp ve verimli anahtarlama performansı sunar. 211nC gate yükü ve hızlı anahtarlama karakteristiği sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, 300W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok