Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB034N06N3
IPB034N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB034N06N3GATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 100A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-7 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnç değeri (3.4mΩ @ 100A, 10V) nedeniyle güç anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde etkin şekilde çalışır. -55°C ile +175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 167W maksimum güç yayınlama kapasitesi sayesinde zorlu endüstriyel ve ticari uygulamalara uyguntur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok