Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB034N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB034N06L3
IPB034N06L3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB034N06L3GATMA1, 60V drain-source voltajında çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (3.4mΩ @ 90A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi, yüksek güç disipasyonu (167W) ile birlikte güç elektroniği, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel şarj uygulamalarında kullanıma uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, ±20V gate voltajı ve 79nC gate charge değeri hızlı ve kontrollü anahtarlama işlemi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok