Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB034N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB034N03LG
IPB034N03LGATMA1 Hakkında
IPB034N03LGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (3.4mΩ @ 30A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışmaya olanak tanır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlaması gerektiren elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5300 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok