Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB032N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB032N10N5ATMA1
IPB032N10N5ATMA1 Hakkında
IPB032N10N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 166A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.2mΩ (10V, 83A'da) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulmaktadır. Motor sürücüler, güç yönetim devreleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 95nC gate charge ve 6970pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 166A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6970 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 83A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 125µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok