Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB031N08N5
IPB031N08N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB031N08N5ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 3.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Gate charge 87nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç dönüştürme uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılmaktadır. 167W maksimum güç tüketim kapasitesi ile termal yönetim açısından verimlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6240 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok