Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB030N08N3GATMA1
IPB030N08N3G - OPTLMOS N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB030N08N3G
IPB030N08N3GATMA1 Hakkında
IPB030N08N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 160A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-263-7 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Motor kontrol, şarj devreleri, invertörler ve güç dönüştürücüleri gibi yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş tasarımı, endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8110 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok