Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB030N08N3G
IPB030N08N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB030N08N3GATMA1, 80V drain-source geriliminde 160A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET'tir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu güç transistörü, 3mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabilite gösterir. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 10V kapı geriliminde tetiklenerek hızlı komütasyon ve düşük kapı yükü (117nC) avantajı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8110 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok