Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB027N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB027N10N5
IPB027N10N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB027N10N5ATMA1, 100V drain-source voltaj ile çalışan N-channel MOSFET transistördür. 120A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 2.7mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge (Qg) 139nC ve input capacitance (Ciss) 10.3nF olup hızlı anahtarlama performansı sunar. Vgs(th) 3.8V threshold voltajı ile 6V ve 10V sürülme voltajlarında çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel otomasyon, elektrik çevirici devreleri, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10300 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 184µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok