Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB027N10N3G
IPB027N10N3GATMA1 Hakkında
IPB027N10N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.7mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç çevirici devreler, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W'a kadar güç dağıtabilir. 206nC gate charge ve düşük input kapasitansiyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok