Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB026N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB026N06N
IPB026N06NATMA1 Hakkında
IPB026N06NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj derecesinde çalışan bu bileşen, 25A (Ta) ve 100A (Tc) sürekli dren akımına dayanıklıdır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketlemesi ile dizayn edilmiştir. 2.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok