Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB025N10N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB025N10N3
IPB025N10N3GE8187ATMA1 Hakkında
IPB025N10N3GE8187ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V dren-kaynak gerilimi ve 180A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. Rds(on) değeri 2.5mΩ (10V, 100A koşullarında) olarak belirtilmiştir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, inverterler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 300W güç tüketimine dayanabilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Bileşen yeni tasarımlarda kullanım önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok