Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB024N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB024N10N5
IPB024N10N5ATMA1 Hakkında
IPB024N10N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile 180A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, düşük 2.4mΩ on-resistance değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 250W güç dağıtabilen bu MOSFET, motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 138nC gate charge ve ±20V gate voltaj aralığı ile hızlı komütasyon özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 183µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok