Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB024N08N5
IPB024N08N5ATMA1 Hakkında
IPB024N08N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücü devreleri, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 214W maksimum güç dağılımında çalışabilir. 123nC gate charge ve 3.8V gate threshold voltajı ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8970 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 154µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok