Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB023N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB023N06N3G
IPB023N06N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB023N06N3GATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 140A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 2.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, güç dönüştürücüler, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve yüksek akım uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 198nC gate charge ve 16000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun tasarlanmıştır. Maksimum 214W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 140A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 141µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok