Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB023N04NG
IPB023N04NGATMA1 Hakkında
IPB023N04NGATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2.3mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Surface mount teknolojisi ile PCB üretiminde yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok