Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB021N06N3
IPB021N06N3GATMA1 Hakkında
IPB021N06N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (2,1 mOhm @ 100A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate voltaj aralığı, 275 nC gate charge değeri ve -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 275 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 196µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok