Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB020NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB020NE7N3
IPB020NE7N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB020NE7N3GATMA1, 75V drain-source gerilim ve 120A sürekli drenaj akımına sahip N-channel güç MOSFET'idir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 2mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 300W güç yayınlayabilir. Gate şarj değeri 206nC, giriş kapasitesi 14400pF olup, ±20V Vgs aralığında güvenli çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüler ve AC/DC adaptörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok