Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB020N10N5
IPB020N10N5LFATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPB020N10N5LFATMA1, 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 313W güç dağıtım kapasitesi ile güçlü anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok