Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPB020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPB020N10N5
IPB020N10N5ATMA1 Hakkında
IPB020N10N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 2mΩ maksimum on-state dirençli (RDS(on)) bu bileşen, düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan IPB020N10N5ATMA1, anahtarlama güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile 175°C arası sıcaklık ortamında güvenilir işlem sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok